Research data supporting "Buried Graphene Heterostructures for Electrostatic Doping of Low-Dimensional Materials"

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Gumprich, Alexander	-
dc.contributor.author	Tappertzhofen, Stefan	-
dc.date.accessioned	2023-02-08T11:30:49Z	-
dc.date.available	2023-02-08T11:30:49Z	-
dc.date.issued	2023-02-06	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2003/41227	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-23071	-
dc.description.abstract	Research data supporting "Buried Graphene Heterostructures for Electrostatic Doping of Low-Dimensional Materials" by A. Gumprich et al. The data included electrical measurements, raman spectra and simulation results.	en
dc.language.iso	en	de
dc.subject	low-dimensional materials	en
dc.subject	carbon nanotube transistors	en
dc.subject	steep slope transistors	en
dc.subject	buried triple gates	en
dc.subject	electrostatic doping	en
dc.subject	graphene-heterostructures	en
dc.subject.ddc	620	-
dc.title	Research data supporting "Buried Graphene Heterostructures for Electrostatic Doping of Low-Dimensional Materials"	en
dc.type	Dataset	de
dc.type.publicationtype	ResearchData	de
dcterms.accessRights	open access	-
eldorado.secondarypublication	false	de
Enthalten in den Sammlungen:	Lehrstuhl für Mikro- und Nanoelektronik

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